Samsung MB-MY512SB/WW mémoire flash 512 Go MicroSDXC UHS-I

Samsung MB-MY512SB/WW, 512 Go, MicroSDXC, UHS-I, 200 Mo/s, 130 Mo/s, Class 3 (U3)
  • 512 Go MicroSDXC UHS-I
  • Class 3 (U3) V30 200 Mo/s
  • A2
  • Anti-goutte, Résistant à un aimant, Résistant à une température, Imperméable, Résistant aux rayons X
  • Bleu
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Quantité
En stock
MB-MY512SB/WW
8644931
14 Produits

Samsung MB-MY512SB/WW. Capacité: 512 Go, Type de Carte Flash: MicroSDXC, Type de mémoire interne: UHS-I, Vitesse de lecture: 200 Mo/s, Vitesse d'écriture: 130 Mo/s, Classe de vitesse UHS: Class 3 (U3), Classe de vitesse vidéo: V30. Fonctions de protection: Anti-goutte, Résistant à un aimant, Résistant à une température, Imperméable, Résistant aux rayons X, Couleur du produit: Bleu
MB-MY512SB/WW
14 Produits

Fiche technique

Capacité
512 Go
Type de Carte Flash
MicroSDXC
Couleur du produit
Bleu
Quantité
1 pièce(s)
Poids
0,25 g
Largeur
1 mm
Profondeur
15 mm
Hauteur
11 mm
Température d'opération
-25 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Fonctions de protection
Anti-goutte, Résistant à un aimant, Résistant à une température, Imperméable, Résistant aux rayons X
Type de mémoire interne
UHS-I
Vitesse de lecture
200 Mo/s
Vitesse d'écriture
130 Mo/s
Classe de vitesse UHS
Class 3 (U3)
Mémoire de tension
2.7,3.6 V
Classe de vitesse vidéo
V30
Durabilité
10000 cycles par secteur logique
Classe de performance d'application
A2

Caractéristiques

Mémoire
Capacité 512 Go
Type de Carte Flash MicroSDXC
Type de mémoire interne UHS-I
Vitesse de lecture 200 Mo/s
Vitesse d'écriture 130 Mo/s
Classe de vitesse UHS Class 3 (U3)
Classe de vitesse vidéo V30
Classe de performance d'application A2
Design
Couleur du produit Bleu
Fonctions de protection Anti-goutte
Résistant à un aimant
Résistant à une température
Imperméable
Résistant aux rayons X
Informations sur l'emballage
Quantité 1 pièce(s)
Poids et dimensions
Poids 0
25 g
Largeur 1 mm
Profondeur 15 mm
Hauteur 11 mm
Conditions environnementales
Température d'opération -25 - 85 °C
Température hors fonctionnement -40 - 85 °C
Caractéristiques
Mémoire de tension 2.7
3.6 V
Durabilité 10000 cycles par secteur logique