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- CTO
Samsung 990 PRO M.2 2000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung 990 PRO, 2000 Go, M.2, 7450 Mo/s
- 2000 Go M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 7450 Mo/s 1400000 IOPS
- Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s 1550000 IOPS
- V-NAND MLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
Samsung 990 PRO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC
MZ-V9P2T0BW
100 Produits
Fiche technique
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G
- Poids
- 9 g
- Type d'emballage
- Boîte
- Largeur
- 80 mm
- Profondeur
- 2,3 mm
- Hauteur
- 22 mm
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Fonctions de protection
- Résistant à la chaleur
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Interface
- PCI Express 4.0
- Type de mémoire
- V-NAND MLC
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Vitesse de lecture
- 7450 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 6900 Mo/s
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 2000 Go
- composant pour
- PC
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Température maximale de fonctionnement
- 70 °C
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Consommation électrique (idle)
- 0,055 W
- Lecture aléatoire (4KB)
- 1400000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1550000 IOPS
- Support TRIM
- Oui
- NVMe
- Oui
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Version NVMe
- 2.0
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 5,5 W
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
- Oui
Caractéristiques
Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement |
1500 G |
---|---|
Température d'opération |
0 - 70 °C |
Température maximale de fonctionnement |
70 °C |
Poids et dimensions
Poids |
9 g |
---|---|
Largeur |
80 mm |
Profondeur |
2 3 mm |
Hauteur |
22 mm |
Informations sur l'emballage
Type d'emballage |
Boîte |
---|
Caractéristiques
Fonctions de protection |
Résistant à la chaleur |
---|---|
Interface |
PCI Express 4.0 |
Type de mémoire |
V-NAND MLC |
composant pour |
PC |
Lecture aléatoire (4KB) |
1400000 IOPS |
Écriture aléatoire (4KB) |
1550000 IOPS |
Support TRIM |
Oui |
Flux de données d'interface PCI Express |
x4 |
Version NVMe |
2.0 |
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) |
Oui |
Ergonomie
Temps moyen entre pannes |
1500000 h |
---|
représentation / réalisation
Algorithme de sécurité soutenu |
256-bit AES |
---|---|
Tension de fonctionnement |
3 3 V |
Vitesse de lecture |
7450 Mo/s |
Vitesse d'écriture |
6900 Mo/s |
Support S.M.A.R.T. |
Oui |
Support de stockage
Capacité du Solid State Drive (SSD) |
2000 Go |
---|---|
Facteur de forme SSD |
M.2 |
NVMe |
Oui |
Sécurité
Le chiffrement matériel |
Oui |
---|
Puissance
Consommation électrique (idle) |
0 055 W |
---|---|
Consommation d'énergie (moyenne) |
5 5 W |