Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung 990 PRO, 1000 Go, M.2, 7450 Mo/s
- 1000 Go M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 7450 Mo/s 1200000 IOPS
- Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s 1550000 IOPS
- V-NAND MLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
Samsung 990 PRO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC
MZ-V9P1T0BW
70 Produits
Fiche technique
- Poids
- 9 g
- Type d'emballage
- Boîte
- Largeur
- 80 mm
- Profondeur
- 2,3 mm
- Hauteur
- 22 mm
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Interface
- PCI Express 4.0
- Type de mémoire
- V-NAND MLC
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Vitesse de lecture
- 7450 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 6900 Mo/s
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1000 Go
- composant pour
- PC
- Consommation (max)
- 7,8 W
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Température maximale de fonctionnement
- 70 °C
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Vibrations en fonctionnement
- 1500 G
- Lecture aléatoire (4KB)
- 1200000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1550000 IOPS
- Support TRIM
- Oui
- NVMe
- Oui
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Version NVMe
- 2.0
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 5,4 W
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
- Oui
- Cache DDR externe
- Oui
- Quantité de caches DDR externes
- 1024 Mo
Caractéristiques
Poids et dimensions
| Poids |
9 g |
|---|---|
| Largeur |
80 mm |
| Profondeur |
2 3 mm |
| Hauteur |
22 mm |
Informations sur l'emballage
| Type d'emballage |
Boîte |
|---|
Conditions environnementales
| Température d'opération |
0 - 70 °C |
|---|---|
| Température maximale de fonctionnement |
70 °C |
| Vibrations en fonctionnement |
1500 G |
Ergonomie
| Temps moyen entre pannes |
1500000 h |
|---|
Caractéristiques
| Interface |
PCI Express 4.0 |
|---|---|
| Type de mémoire |
V-NAND MLC |
| composant pour |
PC |
| Lecture aléatoire (4KB) |
1200000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) |
1550000 IOPS |
| Support TRIM |
Oui |
| Flux de données d'interface PCI Express |
x4 |
| Version NVMe |
2.0 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) |
Oui |
| Cache DDR externe |
Oui |
| Quantité de caches DDR externes |
1024 Mo |
représentation / réalisation
| Algorithme de sécurité soutenu |
256-bit AES |
|---|---|
| Tension de fonctionnement |
3 3 V |
| Vitesse de lecture |
7450 Mo/s |
| Vitesse d'écriture |
6900 Mo/s |
| Support S.M.A.R.T. |
Oui |
Support de stockage
| Capacité du Solid State Drive (SSD) |
1000 Go |
|---|---|
| Facteur de forme SSD |
M.2 |
| NVMe |
Oui |
Puissance
| Consommation (max) |
7 8 W |
|---|---|
| Consommation d'énergie (moyenne) |
5 4 W |
Sécurité
| Le chiffrement matériel |
Oui |
|---|
Samsung 990 PRO, 1000 Go, M.2, 7450 Mo/s
- 1000 Go M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 7450 Mo/s 1200000 IOPS
- Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s 1550000 IOPS
- V-NAND MLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
