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- CTO
Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
Samsung 990 EVO, 1 To, M.2, 5000 Mo/s
- 1 To M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
- composant pour: Universel
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
MZ-V9E1T0BW
57 Produits
Fiche technique
- Poids
- 9 g
- Type d'emballage
- Boîte
- Largeur
- 80,2 mm
- Profondeur
- 22,1 mm
- Hauteur
- 2,38 mm
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Température hors fonctionnement
- -40 - 85 °C
- Taux d'humidité relative (stockage)
- 5 - 95%
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Interface
- PCI Express 4.0
- Type de mémoire
- V-NAND TLC
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Vitesse de lecture
- 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 4200 Mo/s
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1 To
- composant pour
- Universel
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Révision CEM PCI Express
- 4.0
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Consommation électrique (Lecture)
- 4,9 W
- Consommation électrique (idle)
- 0,06 W
- Vibrations hors fonctionnement
- 20 G
- Choc hors fonctionnement
- 1500 G
- Consommation d 'énergie (en mode veille)
- 0,005 W
- Consommation électrique (Ecriture)
- 4,5 W
- Support TRIM
- Oui
- NVMe
- Oui
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Classe TBW
- 600
- Version NVMe
- 2.0
- Humidité relative de fonctionnement (H-H)
- 5 - 95%
- Période de garantie
- 5 année(s)
- Taille du SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
Caractéristiques
Poids et dimensions
Poids |
9 g |
---|---|
Largeur |
80 2 mm |
Profondeur |
22 1 mm |
Hauteur |
2 38 mm |
Informations sur l'emballage
Type d'emballage |
Boîte |
---|
Conditions environnementales
Température d'opération |
0 - 70 °C |
---|---|
Température hors fonctionnement |
-40 - 85 °C |
Taux d'humidité relative (stockage) |
5 - 95% |
Vibrations hors fonctionnement |
20 G |
Choc hors fonctionnement |
1500 G |
Humidité relative de fonctionnement (H-H) |
5 - 95% |
Ergonomie
Temps moyen entre pannes |
1500000 h |
---|
Caractéristiques
Interface |
PCI Express 4.0 |
---|---|
Type de mémoire |
V-NAND TLC |
composant pour |
Universel |
Révision CEM PCI Express |
4.0 |
Support TRIM |
Oui |
Flux de données d'interface PCI Express |
x4 |
Classe TBW |
600 |
Version NVMe |
2.0 |
Taille du SSD M.2 |
2280 (22 x 80 mm) |
représentation / réalisation
Algorithme de sécurité soutenu |
256-bit AES |
---|---|
Tension de fonctionnement |
3 3 V |
Vitesse de lecture |
5000 Mo/s |
Vitesse d'écriture |
4200 Mo/s |
Support S.M.A.R.T. |
Oui |
Support de stockage
Capacité du Solid State Drive (SSD) |
1 To |
---|---|
Facteur de forme SSD |
M.2 |
NVMe |
Oui |
Sécurité
Le chiffrement matériel |
Oui |
---|
Puissance
Consommation électrique (Lecture) |
4 9 W |
---|---|
Consommation électrique (idle) |
0 06 W |
Consommation d 'énergie (en mode veille) |
0 005 W |
Consommation électrique (Ecriture) |
4 5 W |
Autres caractéristiques
Période de garantie |
5 année(s) |
---|