Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s
- 2 To M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
- composant pour: Universel
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
MZ-V9E2T0BW
109 Produits
Fiche technique
- Poids
- 9 g
- Type d'emballage
- Boîte
- Largeur
- 80,2 mm
- Profondeur
- 22,1 mm
- Hauteur
- 2,38 mm
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Température hors fonctionnement
- -40 - 85 °C
- Taux d'humidité relative (stockage)
- 5 - 95%
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Interface
- PCI Express 4.0
- Type de mémoire
- V-NAND TLC
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Vitesse de lecture
- 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 4200 Mo/s
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 2 To
- composant pour
- Universel
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Révision CEM PCI Express
- 4.0
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Consommation électrique (Lecture)
- 5,5 W
- Consommation électrique (idle)
- 0,06 W
- Vibrations hors fonctionnement
- 20 G
- Choc hors fonctionnement
- 1500 G
- Consommation d 'énergie (en mode veille)
- 0,005 W
- Consommation électrique (Ecriture)
- 4,7 W
- Support TRIM
- Oui
- NVMe
- Oui
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Classe TBW
- 1200
- Version NVMe
- 2.0
- Humidité relative de fonctionnement (H-H)
- 5 - 95%
- Période de garantie
- 5 année(s)
- Taille du SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
Caractéristiques
Poids et dimensions
| Poids |
9 g |
|---|---|
| Largeur |
80 2 mm |
| Profondeur |
22 1 mm |
| Hauteur |
2 38 mm |
Informations sur l'emballage
| Type d'emballage |
Boîte |
|---|
Conditions environnementales
| Température d'opération |
0 - 70 °C |
|---|---|
| Température hors fonctionnement |
-40 - 85 °C |
| Taux d'humidité relative (stockage) |
5 - 95% |
| Vibrations hors fonctionnement |
20 G |
| Choc hors fonctionnement |
1500 G |
| Humidité relative de fonctionnement (H-H) |
5 - 95% |
Ergonomie
| Temps moyen entre pannes |
1500000 h |
|---|
Caractéristiques
| Interface |
PCI Express 4.0 |
|---|---|
| Type de mémoire |
V-NAND TLC |
| composant pour |
Universel |
| Révision CEM PCI Express |
4.0 |
| Support TRIM |
Oui |
| Flux de données d'interface PCI Express |
x4 |
| Classe TBW |
1200 |
| Version NVMe |
2.0 |
| Taille du SSD M.2 |
2280 (22 x 80 mm) |
représentation / réalisation
| Algorithme de sécurité soutenu |
256-bit AES |
|---|---|
| Tension de fonctionnement |
3 3 V |
| Vitesse de lecture |
5000 Mo/s |
| Vitesse d'écriture |
4200 Mo/s |
| Support S.M.A.R.T. |
Oui |
Support de stockage
| Capacité du Solid State Drive (SSD) |
2 To |
|---|---|
| Facteur de forme SSD |
M.2 |
| NVMe |
Oui |
Sécurité
| Le chiffrement matériel |
Oui |
|---|
Puissance
| Consommation électrique (Lecture) |
5 5 W |
|---|---|
| Consommation électrique (idle) |
0 06 W |
| Consommation d 'énergie (en mode veille) |
0 005 W |
| Consommation électrique (Ecriture) |
4 7 W |
Autres caractéristiques
| Période de garantie |
5 année(s) |
|---|
Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s
- 2 To M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
- composant pour: Universel
