Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go 1600 MHz

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600, 4 Go, 1 x 4 Go, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM
  • Ordinateur portable 4 Go DDR3 1600 MHz
  • 204-pin SO-DIMM 1 x 4 Go
  • Latence CAS: 11
  • 1.5 V
21,00 €
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KVR16S11S8/4
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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR3, Fréquence de la mémoire: 1600 MHz, Support de mémoire: 204-pin SO-DIMM, Latence CAS: 11
KVR16S11S8/4
2 Produits

Fiche technique

Pays d'origine
Taïwan
Type d'emballage
SO-DIMM
Largeur
67,6 mm
Hauteur
30 mm
Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C
Type de mémoire interne
DDR3
Support de mémoire
204-pin SO-DIMM
Disposition de la mémoire
1 x 4096 Mo
Mémoire interne
4 Go
4096 Mo
Fréquence de la mémoire
1600 MHz
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 4 Go
Code du système harmonisé
84733020
composant pour
Ordinateur portable
ECC
Non
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Latence CAS
11
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.5 V
Configuration de module
512M x 64
Placage en plomb
Or
Organisation des puces
X8
Mémoire Bus
64 bit
Fréquence d'horloge de bus
1600 MHz
Indicateur d'erreurs
Non
Temps du cycle de la ligne (TRC)
48,125 ns
Refresh row cycle time (TRFC)
260 ns
Rayon de temps actif
35 ns

Caractéristiques

représentation / réalisation
Pays d'origine Taïwan
Informations sur l'emballage
Type d'emballage SO-DIMM
Poids et dimensions
Largeur 67
6 mm
Hauteur 30 mm
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Mémoire
Type de mémoire interne DDR3
Support de mémoire 204-pin SO-DIMM
Mémoire interne 4 Go
4096 Mo
Fréquence de la mémoire 1600 MHz
Mémoire Bus 64 bit
Autres caractéristiques
Disposition de la mémoire 1 x 4096 Mo
Fréquence d'horloge de bus 1600 MHz
Indicateur d'erreurs Non
Caractéristiques
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 4 Go
ECC Non
Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
Latence CAS 11
Niveau de mémoire 1
Mémoire de tension 1.5 V
Configuration de module 512M x 64
Placage en plomb Or
Temps du cycle de la ligne (TRC) 48
125 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 260 ns
Rayon de temps actif 35 ns
Données logistiques
Code du système harmonisé 84733020
Design
composant pour Ordinateur portable
Détails techniques
Organisation des puces X8