Kingston Technology ValueRAM KVR16N11S8H/4 module de mémoire 4 Go DDR3 1600 MHz

Kingston Technology ValueRAM KVR16N11S8H/4, 4 Go, DDR3, 1600 MHz, 240-pin DIMM
  • PC/serveur 4 Go DDR3 1600 MHz
  • 240-pin DIMM
  • Latence CAS: 11
  • 1.5 V
21,00 €
HT
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KVR16N11S8H/4
2679287

Kingston Technology ValueRAM KVR16N11S8H/4. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 4 Go, Type de mémoire interne: DDR3, Fréquence de la mémoire: 1600 MHz, Support de mémoire: 240-pin DIMM, Latence CAS: 11
KVR16N11S8H/4

Fiche technique

Largeur
133,3 mm
Hauteur
30 mm
Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C
Type de mémoire interne
DDR3
Support de mémoire
240-pin DIMM
Disposition de la mémoire
1 x 4096 Mo
Mémoire interne
4 Go
4096 Mo
Fréquence de la mémoire
1600 MHz
Code du système harmonisé
84733020
composant pour
PC/serveur
ECC
Non
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Latence CAS
11
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.5 V
Configuration de module
512M x 64
Placage en plomb
Or
Organisation des puces
X8
Mémoire Bus
64 bit
Fréquence d'horloge de bus
1600 MHz
Indicateur d'erreurs
Non
Temps du cycle de la ligne (TRC)
48,125 ns
Refresh row cycle time (TRFC)
260 ns
Rayon de temps actif
35 ns

Caractéristiques

Poids et dimensions
Largeur 133
3 mm
Hauteur 30 mm
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Mémoire
Type de mémoire interne DDR3
Support de mémoire 240-pin DIMM
Mémoire interne 4 Go
4096 Mo
Fréquence de la mémoire 1600 MHz
Mémoire Bus 64 bit
Autres caractéristiques
Disposition de la mémoire 1 x 4096 Mo
Fréquence d'horloge de bus 1600 MHz
Indicateur d'erreurs Non
Données logistiques
Code du système harmonisé 84733020
Design
composant pour PC/serveur
Caractéristiques
ECC Non
Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
Latence CAS 11
Niveau de mémoire 1
Mémoire de tension 1.5 V
Configuration de module 512M x 64
Placage en plomb Or
Temps du cycle de la ligne (TRC) 48
125 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 260 ns
Rayon de temps actif 35 ns
Détails techniques
Organisation des puces X8