Kingston Technology KSM26RS8L/8MEI module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR4 2666 MHz ECC

Kingston Technology KSM26RS8L/8MEI, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR4, 2666 MHz, 288-pin DIMM
  • PC/serveur 8 Go DDR4 2666 MHz
  • 288-pin DIMM 1 x 8 Go
  • Latence CAS: 19
  • 1.2 V
  • ECC
95,00 €
HT
Quantité
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KSM24RS4/16HAI
4447342

Kingston Technology KSM26RS8L/8MEI. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 19, ECC
KSM24RS4/16HAI

Fiche technique

Largeur
133,3 mm
Hauteur
18,8 mm
Produits compatibles
Supermicro - A2SD1-3750F Motherboard Supermicro - A2SD1-3955F Motherboard Supermicro - SuperBlade SBI-4429P-T2N (Super B11DPT-P) Supermicro - SuperBlade SBI-6129P-C3N (Super B11DPE) Supermicro - SuperBlade SBI-6129P-T3N (Super B11DPE) Supermicro - ...
Certificats de durabilité
RoHS
Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C
Type de mémoire interne
DDR4
Support de mémoire
288-pin DIMM
Mémoire interne
8 Go
Fréquence de la mémoire
2666 MHz
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 8 Go
composant pour
PC/serveur
ECC
Oui
Type de mémoire mise en cache
Registered (buffered)
Latence CAS
19
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.2 V
Configuration de module
1024M x 72
Placage en plomb
Or
Norme JEDEC
Oui
Temps du cycle de la ligne (TRC)
45,75 ns
Refresh row cycle time (TRFC)
350 ns
Rayon de temps actif
32 ns
Tension de programmation (VPP)
2,5 V

Caractéristiques

Poids et dimensions
Largeur 133
3 mm
Hauteur 18
8 mm
Caractéristiques
Produits compatibles Supermicro - A2SD1-3750F Motherboard Supermicro - A2SD1-3955F Motherboard Supermicro - SuperBlade SBI-4429P-T2N (Super B11DPT-P) Supermicro - SuperBlade SBI-6129P-C3N (Super B11DPE) Supermicro - SuperBlade SBI-6129P-T3N (Super B11DPE) Supermicro - ...
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 8 Go
composant pour PC/serveur
Type de mémoire mise en cache Registered (buffered)
Latence CAS 19
Niveau de mémoire 1
Mémoire de tension 1.2 V
Configuration de module 1024M x 72
Placage en plomb Or
Norme JEDEC Oui
Temps du cycle de la ligne (TRC) 45
75 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 350 ns
Rayon de temps actif 32 ns
Tension de programmation (VPP) 2
5 V
Durabilité
Certificats de durabilité RoHS
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Mémoire
Type de mémoire interne DDR4
Support de mémoire 288-pin DIMM
Mémoire interne 8 Go
Fréquence de la mémoire 2666 MHz
ECC Oui