Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4 module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR4 2666 MHz

Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4, 4 Go, 1 x 4 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
  • Ordinateur portable 4 Go DDR4 2666 MHz
  • 260-pin SO-DIMM 1 x 4 Go
  • Latence CAS: 19
  • 1.2 V
17,00 €
HT
24/48heures
Quantité
En stock
KVR26S19S6/4
4744944
27 Produits

Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19
KVR26S19S6/4
27 Produits

Fiche technique

Pays d'origine
Taïwan
Largeur
69,6 mm
Profondeur
2,45 mm
Hauteur
30 mm
Certificats de durabilité
RoHS
Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C
Ne contient pas
Halogène
Type de mémoire interne
DDR4
Support de mémoire
260-pin SO-DIMM
Mémoire interne
4 Go
Fréquence de la mémoire
2666 MHz
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 4 Go
Code du système harmonisé
84733020
composant pour
Ordinateur portable
ECC
Non
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Latence CAS
19
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.2 V
Temps du cycle de la ligne (TRC)
45,75 ns
Refresh row cycle time (TRFC)
350 ns
Rayon de temps actif
32 ns
Tension de programmation (VPP)
2,5 V

Caractéristiques

Données logistiques
Pays d'origine Taïwan
Code du système harmonisé 84733020
Poids et dimensions
Largeur 69
6 mm
Profondeur 2
45 mm
Hauteur 30 mm
Détails techniques
Certificats de durabilité RoHS
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Durabilité
Ne contient pas Halogène
Mémoire
Type de mémoire interne DDR4
Support de mémoire 260-pin SO-DIMM
Fréquence de la mémoire 2666 MHz
ECC Non
Mémoire de tension 1.2 V
Système informatique
Mémoire interne 4 Go
Caractéristiques
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 4 Go
composant pour Ordinateur portable
Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
Latence CAS 19
Niveau de mémoire 1
Temps du cycle de la ligne (TRC) 45
75 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 350 ns
Rayon de temps actif 32 ns
Tension de programmation (VPP) 2
5 V