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- CTO
Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR5 4800 MHz
Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM
- Ordinateur portable 8 Go DDR5 4800 MHz
- 262-pin SO-DIMM 1 x 8 Go
- Latence CAS: 40
- 1.1 V
Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR5, Fréquence de la mémoire: 4800 MHz, Support de mémoire: 262-pin SO-DIMM, Latence CAS: 40
KVR48S40BS6-8
8 Produits
Fiche technique
- Largeur
- 69,6 mm
- Hauteur
- 30 mm
- Certificats de durabilité
- RoHS
- Température d'opération
- 0 - 85 °C
- Température hors fonctionnement
- -55 - 100 °C
- Type de mémoire interne
- DDR5
- Support de mémoire
- 262-pin SO-DIMM
- Mémoire interne
- 8 Go
- Fréquence de la mémoire
- 4800 MHz
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 8 Go
- Code du système harmonisé
- 84733020
- composant pour
- Ordinateur portable
- ECC
- Non
- Type de mémoire mise en cache
- Unregistered (unbuffered)
- Latence CAS
- 40
- Niveau de mémoire
- 1
- Mémoire de tension
- 1.1 V
- Placage en plomb
- Or
- Norme JEDEC
- Oui
- Temps du cycle de la ligne (TRC)
- 48 ns
- Refresh row cycle time (TRFC)
- 295 ns
- Rayon de temps actif
- 32 ns
- Tension de programmation (VPP)
- 1,8 V
- On-Die ECC
- Oui
Caractéristiques
Poids et dimensions
Largeur |
69 6 mm |
---|---|
Hauteur |
30 mm |
Détails techniques
Certificats de durabilité |
RoHS |
---|
Conditions environnementales
Température d'opération |
0 - 85 °C |
---|---|
Température hors fonctionnement |
-55 - 100 °C |
Mémoire
Type de mémoire interne |
DDR5 |
---|---|
Support de mémoire |
262-pin SO-DIMM |
Mémoire interne |
8 Go |
Fréquence de la mémoire |
4800 MHz |
ECC |
Non |
Caractéristiques
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) |
1 x 8 Go |
---|---|
composant pour |
Ordinateur portable |
Type de mémoire mise en cache |
Unregistered (unbuffered) |
Latence CAS |
40 |
Niveau de mémoire |
1 |
Mémoire de tension |
1.1 V |
Placage en plomb |
Or |
Norme JEDEC |
Oui |
Temps du cycle de la ligne (TRC) |
48 ns |
Refresh row cycle time (TRFC) |
295 ns |
Rayon de temps actif |
32 ns |
Tension de programmation (VPP) |
1 8 V |
On-Die ECC |
Oui |
Données logistiques
Code du système harmonisé |
84733020 |
---|