Kingston Technology KSM32SES8/16HC module de mémoire 16 Go DDR4 3200 MHz ECC

Kingston Technology KSM32SES8/16HC, 16 Go, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
  • 16 Go DDR4 3200 MHz
  • 260-pin SO-DIMM
  • Latence CAS: 22
  • 1.2 V
  • ECC
53,00 €
HT
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KSM32SES8/16HC
9806003

Kingston Technology KSM32SES8/16HC. Mémoire interne: 16 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3200 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 22, ECC
KSM32SES8/16HC

Fiche technique

Certificats de durabilité
RoHS
Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C
Type de mémoire interne
DDR4
Support de mémoire
260-pin SO-DIMM
Mémoire interne
16 Go
Rétroéclairage
Non
Fréquence de la mémoire
3200 MHz
Débit de transfert de données
PC4-3200, PC4-2933, PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
Code du système harmonisé
84733020
ECC
Oui
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Latence CAS
22
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.2 V
Configuration de module
2048M x 72
Profil SPD
Oui
Norme JEDEC
Oui
Temps du cycle de la ligne (TRC)
45,75 ns
Refresh row cycle time (TRFC)
350 ns
Rayon de temps actif
32 ns
Tension de programmation (VPP)
2,5 V
On-Die ECC
Oui

Caractéristiques

Durabilité
Certificats de durabilité RoHS
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Mémoire
Type de mémoire interne DDR4
Support de mémoire 260-pin SO-DIMM
Fréquence de la mémoire 3200 MHz
ECC Oui
Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
Niveau de mémoire 1
Mémoire de tension 1.2 V
Système informatique
Mémoire interne 16 Go
représentation / réalisation
Rétroéclairage Non
Autres caractéristiques
Débit de transfert de données PC4-3200
PC4-2933
PC4-2666
PC4-2400
PC4-2133
PC4-1866
PC4-1600
Données logistiques
Code du système harmonisé 84733020
Caractéristiques
Latence CAS 22
Configuration de module 2048M x 72
Profil SPD Oui
Norme JEDEC Oui
Temps du cycle de la ligne (TRC) 45
75 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 350 ns
Rayon de temps actif 32 ns
Tension de programmation (VPP) 2
5 V
On-Die ECC Oui